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內容編輯柏克太陽能蓄電池內部的連接
砷化鎵的能隙是柏克太陽能電池最理想的資料。制備出的電池的能量變換功率高，抗輻射能力也優(yōu)于硅電池。但因原資料自身的價格貴，制備的電池多用于專門的場所。除了本錢高以外，這類資料的制備過程中還需求留意人體的健康防護和環(huán)保。
電池內部經(jīng)過低損耗的穿透結銜接，并避免雜質從穿透結擴散電池的高功率需求經(jīng)過兩個以上的電池銜接來完成。這就要求有對光和電損耗低的內部銜接。簡并摻雜的隧穿結作為首選，經(jīng)過上電池重摻雜的n（或p）型層與下電池重摻雜p（或n）型層之間，因為電子和空穴的地道復合構成歐姆觸摸。一起，它在電池的制備工藝中只是增加一個過程。然而，為了減小光的吸收，需求構成薄和寬帶隙的隧穿結。另一方面，隧穿電流隨帶隙能量的增大而指數(shù)下降，又將對電池的功能形成晦氣影響。此外，在制備頂部電池的過程中，還將發(fā)作從高摻雜隧穿結的雜質擴散，形成隧穿結的電阻增大，也要留意避免。研討表明，雙異質結結構能夠避免雜質擴散。
頂部電池資料的選擇和質量改善：頂部電池資料關系到太陽光的穿透和吸收，對電池功能有很大影響。特別是它的少子壽數(shù)等功能。例如，當砷化鎵或鍺作為襯底時，頂部選用銦鎵磷與鋁鎵砷比較，在與襯底晶格匹配、界面重構速率低、不易氧化以及少子壽數(shù)等方面前者都更具有優(yōu)勢，是更好的窗口層。
化合物半導體制備p-n結時，常常由不同的晶體資料構成，稱為異質結。制備異質結時，需求留意不同資料間的晶格匹配，失配系數(shù)要盡量小；并且界面重構的速率要低。III-V族化合物太陽能電池多數(shù)做成多p-n結級聯(lián)型，能夠到達40%以上的變換功率，因此特別遭到研討者的注重?？墒?，完成超高功率的多結太陽能電池，需求處理以下的關鍵問題。
為了廣泛應用超高效電池，目前除變換功率有待進步以外，還需求降低本錢。選用3和4個p-n結的多結電池或運用聚光器，完成40%以上的功率，這類電池的潛力是大的。
電池內部經(jīng)過低損耗的穿透結銜接，并避免雜質從穿透結擴散電池的高功率需求經(jīng)過兩個以上的電池銜接來完成。這就要求有對光和電損耗低的內部銜接。簡并摻雜的隧穿結作為首選，經(jīng)過上電池重摻雜的n（或p）型層與下電池重摻雜p（或n）型層之間，因為電子和空穴的地道復合構成歐姆觸摸。一起，它在電池的制備工藝中只是增加一個過程。然而，為了減小光的吸收，需求構成薄和寬帶隙的隧穿結。另一方面，隧穿電流隨帶隙能量的增大而指數(shù)下降，又將對電池的功能形成晦氣影響。此外，在制備頂部電池的過程中，還將發(fā)作從高摻雜隧穿結的雜質擴散，形成隧穿結的電阻增大，也要留意避免。研討表明，雙異質結結構能夠避免雜質擴散。
頂部電池資料的選擇和質量改善：頂部電池資料關系到太陽光的穿透和吸收，對電池功能有很大影響。特別是它的少子壽數(shù)等功能。例如，當砷化鎵或鍺作為襯底時，頂部選用銦鎵磷與鋁鎵砷比較，在與襯底晶格匹配、界面重構速率低、不易氧化以及少子壽數(shù)等方面前者都更具有優(yōu)勢，是更好的窗口層。
化合物半導體制備p-n結時，常常由不同的晶體資料構成，稱為異質結。制備異質結時，需求留意不同資料間的晶格匹配，失配系數(shù)要盡量小；并且界面重構的速率要低。III-V族化合物太陽能電池多數(shù)做成多p-n結級聯(lián)型，能夠到達40%以上的變換功率，因此特別遭到研討者的注重?？墒?，完成超高功率的多結太陽能電池，需求處理以下的關鍵問題。
為了廣泛應用超高效電池，目前除變換功率有待進步以外，還需求降低本錢。選用3和4個p-n結的多結電池或運用聚光器，完成40%以上的功率，這類電池的潛力是大的。